受招標人委托對下列產(chǎn)品及服務(wù)進行國際公開競爭性招標，于2023-08-30在 公告。 本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。
1、招標條件
項目概況：宜興中車時代半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項目（重新招標）
資金到位或資金來源落實情況：已落實
項目已具備招標條件的說明：已具備
2、招標內(nèi)容：
招標項目編號：0623-2340J1110092/01
招標項目名稱：宜興中車時代半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項目（重新招標）
項目實施 其他詳見技術(shù)規(guī)格書	★包中設(shè)備不得拆分投標。
包2	高溫氧化爐	8管	高溫氧化爐管采用SIMF模式（E84通訊功能），用于IGBT芯片制造200mm硅高溫氧化工藝。其他詳見技術(shù)規(guī)格書	★包中設(shè)備不得拆分投標。

3、投標人資格要求 投標人應(yīng)具備的資格或業(yè)績：包1：LPCVD設(shè)備: 1、投標人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）LPCVD設(shè)備業(yè)績合計不低于50管。（投標文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績明細表） 2、投標人如為貿(mào)易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權(quán)書》。 包2：高溫氧化爐: 1、投標人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）8寸及以上晶圓臥式爐管設(shè)備業(yè)績合計不低于20管。（投標文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績明細表） 2、投標人如為貿(mào)易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權(quán)書》。 是否接受聯(lián)合體投標：不接受 未領(lǐng)購招標文件是否可以參加投標：不可以 4、

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